本发明涉及在形成用以连接功率半导体元件、LED元件等电子元件的导体布线、接合结构体的用途中使用的接合性导体糊。本申请主张在2019年8月7日向日本提出申请的日本特愿2019-145510的优先权，将其内容援引于此。安装功率半导体元件、LED元件等电子元件时，需要将多种材料间以高强度接合，为...

本公开涉及基板处理装置、半导体器件的制造方法以及程序。作为判断APC(AutoPressureController：自动压力控制器)阀等的压力控制阀的更换时期的方法，例如如专利文献1那样，以压力控制阀的开闭次数为基准判断阀更换时期。由此，能够在达到阈值前(发生故障前)事先进行更换，但也...

本公开涉及能够使用呈矩阵状搭载于透明的基板上的微型LED(LightEmittingDiode)等发光元件将图像等信息显示于基板的表侧以及背侧这两面的两面显示装置。以往技术的两面显示装置例如记载于专利文献1。在该以往技术中，具备：透明显示部，其使用自发光的像素，并使非显示区域透明；以及...

本发明涉及对半导体装置有用的结晶膜。另外，本发明涉及半导体装置。进而，本发明涉及对半导体装置有用的结晶膜的制造方法。作为能够实现高耐压、低损耗及高耐热的新一代开关元件，使用带隙宽的氧化镓(Ga2O3)的半导体装置备受瞩目，从而被期望应用于逆变器等功率用半导体装置。而且，因其带隙宽，也被期待...

典型的光伏模块，也称为太阳能模块，包括光伏(PV)电池阵列，通常由2个或更多个PV电池“串”形成，其中每串由成行布置并且串联电连接的多个PV电池组成。PV电池通常布置在透明聚合物层上或封装在该层中。两个玻璃或其他合适的聚合材料的板通常相邻定位并粘合到封装剂的正面和背面。至少正面板对太阳辐射是透明的...

本申请涉及半导体相关，尤其涉及一种倒装发光二极管和发光装置。倒装发光二极管由于发光效率高、节能、环保、寿命长的特点，广泛应用于各个领域，例如照明、背光。对现有倒装发光二极管进行封装时，需要使用顶针作用在倒装发光二极管正面的某一区域，以将其顶起并进行固晶，顶针的作用区域常常为倒装发光...

相关申请的交叉引用本申请要求于2019年12月20日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-0172498号的权益，其公开内容通过引用整体并入本文。本发明涉及一种二次电池用负极、制造该负极的方法以及包含该负极的锂金属二次电池，该负极包括负极保护层，该负极保护层可通过更简化的方法形成并且...

相关申请的交叉引用本申请要求于2019年9月23日提交的韩国专利申请第10-2019-0117068号的优先权和权益，通过参考将其发明内容以其完整的形式并入本文中。本发明涉及一种电池系统以及使用其的方法和包含其的电池组。电池被广泛应用于例如如下的各种领域中：移动装置，例如移动电话、笔记本电...

本发明涉及电化学装置领域，具体涉及一种负极材料、负极片、电化学装置及电子装置。锂金属是金属元素中相对原子质量最小(6.94)、标准电极电位(-3.045V)最低的金属，其理论比容量高达3860mAh\/g，是目前发现的质量比能量最大的金属之一，因此，利用锂金属作为负极材料，可以配合高能量密...

本发明涉及燃料电池用隔板、燃料电池用隔板的制造方法以及热转印用片材的制造方法。固体高分子型燃料电池具备多个单电池被层叠的堆(例如，参照专利文献1)。各单电池包含：发电部，具有膜电极接合体；以及一对金属制的隔板，夹持发电部。在隔板上交替地形成有多个凸部和凹部。在各单电池中，在各隔板与发电部之...

本发明涉及非水电解质二次电池以及非水电解质二次电池的制造方法。一直以来，广泛使用将对于带状的正极和带状的负极隔着间隔件卷绕而成的卷绕型的电极体容纳于外包装体的非水电解质二次电池。电极体的电极(正极和负极)在各个金属制的集电体的两面具有包含活性物质和粘结剂的合剂层，有时由于电极被卷绕而在合剂...

电池组可包括多个电池单元和利用热交换器的液体冷却系统。一些可再充电电池可能经历热失控，从而导致电池过热，并且有时导致电池爆炸。发明内容在本说明书的一些方面，提供了一种包括多个电池单元和热交换器的电池系统。该热交换器包括用于输送流体的多个通道。该通道大致沿第一方向延伸并且沿正交的第二方向布置。多个通...

本发明涉及电池模块、电动动力单元以及作业机。在专利文献1中公开了如下构成：在排列有多个单体(cell)的电池组中，在外壳体上设置有进气口以及排气口，并形成有从进气口侵入的冷却用空气通过多个单体的周围和\/或之间并从排气口排出的通气路。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特许第3742261...

本申请涉及储能器件，尤其涉及一种电化学装置及电子设备。随着电子设备的发展，要求电子设备的电池具有更大的容量，以满足电子设备的续航要求。电子设备的电池通常包括壳体和位于壳体内部的电极组件，该壳体对电极组件起到保护作用。其中，该壳体和电极组件可以通过绝缘胶带粘接，电子设备跌落时，可能导...

.本发明涉及一种用于至少两件式的过压保护装置的基础元件，所述基础元件带有用于容纳承载电位的承载轨道的承载轨道容纳部，带有用于容纳第一电导体的第一容纳部，带有用于容纳第二电导体的第二容纳部和带有用于容纳过压保护元件的保护元件容纳部。此外，本发明还涉及一种过压保护装置，其带有至少一个基础元件和带有至少...

.本发明涉及一种插接连接器。.由已知，能够对于由插接连接器与配对插接连接器组成的电插接连接的功能有利的是，在插入过程、或者说互接过程之后这个电插接连接位于限定的插接位置中。这个限定的插接位置或者插接状态或者连接位置或者连接状态能够例如是终端位置。在限定的插接位置中，所述插接连接能够...

.本发明的一个方式涉及一种半导体装置。.注意，本发明的一个方式不限定于上述。本说明书等所公开的发明的涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本发明的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(compositionofm...

.本公开一般而言涉及半导体器件，并且更具体地，涉及包括超突变结的半导体器件及相关方法。.已经提出了增强半导体器件的性能的结构和技术，诸如通过增强电荷载流子的迁移率。例如，授予currie等人的美国专利申请no./公开了硅、硅锗和松弛硅的应变材料层，并且还包括无杂质的区(否则杂质会造成性能降...

.本公开一般而言涉及半导体器件，并且更具体地，涉及包括超突变结的半导体器件及相关方法。.已经提出了增强半导体器件的性能的结构和技术，诸如通过增强电荷载流子的迁移率。例如，授予currie等人的美国专利申请no./公开了硅、硅锗和松弛硅的应变材料层，并且还包括无杂质的区(否则杂质会造成性能降...

可重新配置的基于finfet的人工神经元及突触设备.相关申请的交叉引用.本申请要求享有于年月日提出的第/,号美国非临时专利申请的优先权权益，在此为了所有目的将该美国非临时专利申请的内容整体以引用方式并入。.本申请大体描述可以用来形成人工神经元及突触结构的电路结构。更特定而言，本申请描述用于...