本披露内容涉及一种用于衬底的气体处理的反应器，比如通过化学气相沉积(“CVD”)来处理，例如是为了在半导体材料衬底上形成外延层。本披露内容进一步涉及一种对衬底进行气体处理的方法，其中可以使用反应器。在用于衬底的气体处理的反应器中，比如用于在半导体材料衬底上产生外延层的CVD反应器中，期望在...

.本发明涉及特别是用于飞行器的金属零件的增材制造领域。特别地，本发明涉及一种激光金属沉积系统。本发明还涉及一种实现该激光金属沉积系统的增材制造方法。.现有技术特别地包括文献gb-a-、jp-a-、us-a-和cn-u-。.直接金属沉积(directmetaldeposit...

.本公开内容涉及具有优异的蠕变强度和高温延性的铬钢板及其制造方法，并且更特别地，涉及这样的铬钢板及其制造方法：所述铬钢板不仅可以通过元素合金通过在为钢材料的构成相的马氏体/贝氏体显微组织和晶界内析出仅细碳氮化物而具有优异的蠕变强度，而且可以通过表现出优异的高温延性而降低裂纹敏感性。.在热力...

.本发明涉及一种根据权利要求的前序部分所述的用于冶金器皿处的柱塞封闭(stopfenverschluss)的驱动装置。.根据公开文件ep的驱动装置(其具有用于控制柱塞以调节从连铸设备(stranggiessanlage)的器皿的排出口流出的钢熔化物的控制单元)包括引导组件、用于驱动柱...

.本发明涉及对与通气不良相伴的卡顶或喷涌等异常进行检测的高炉的异常判定装置、高炉的异常判定方法、使用该高炉的异常判定装置的高炉的操作方法以及铁水的制造方法。.在生产生铁的高炉内，通常从炉顶分别交替地装入作为原料的铁矿石和焦炭，矿石层与焦炭层呈层状层叠。并且，通过对炉内的矿石层与焦炭层的堆积...

.本发明涉及热冲压用低强度钢板、使用热冲压用低强度钢板的热冲压部件、以及热冲压部件的制造方法，特别涉及热处理后的拉伸强度ts(tensilestrenth)属于～mpa的区域，并且以屈服应力ys(yieldstress)与拉伸强度ts的比(ys/ts)表示的屈服比yr(yieldratio)...

.本实施方案涉及半导体晶片加工设备工具，更具体地，涉及具有喷头以执行背侧沉积以抵消由形成在顶侧上的层引起的晶片弯曲的室。.各种薄膜层被沉积到晶片(即，衬底)的顶表面上以形成半导体器件。可以使用已知的沉积工艺(例如化学气相沉积(cvd)或等离子体增强化学气相沉积(pecvd))形成这些薄膜层...

.本文的各方面涉及用于在制造期间对鞋类制品部件进行抛光的系统和方法。.抛光是通过与制品表面的机械接合来调节制品表面的工艺。对形成鞋类制品(诸如鞋)的至少一部分的部件进行抛光以调节表面的外观、未来制造工艺(例如，涂料、染料、材料、粘合剂的更好粘合)和/或尺寸的改进。抛光传统上是劳动密集型工艺...

.本发明涉及配混于砂铸模的造型中使用的砂组合物的砂铸模造型用添加剂、含有上述添加剂的砂铸模造型用砂组合物、砂铸模的制造方法以及砂铸模。.为了得到具有中空部的铸造产品，存在使用崩解性的砂铸模(型芯)的制造方法(例如参照专利文献)。在该砂铸模的成形时，可以使用砂铸模造型装置，其具备：用于使发泡...

.本公开涉及半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质。.作为具有维结构的nand型闪存、dram的字线，在使用例如低电阻的钨(w)膜。此外，作为在该w膜和绝缘膜之间的障壁膜，有时使用例如氮化钛(tin)膜(例如，参照专利文献和专利文献)。tin膜具有用于提高w膜与绝缘膜的密合性的作用，...

.本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质。.有时将分散装填有在表面上形成有图案的衬底的衬底支承件收容至处理室，在该衬底的表面形成规定的膜(例如参见专利文献)。.现有技术文献.专利文献.专利文献：国际公开第/号小册子。发明内容.发明要解决的课题.在表面形成有图案...

.本公开涉及基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质。.作为对半导体基板进行处理的装置，已知一种旋转型装置，其将多个基板沿周向配置于基板载置台上，使该基板载置台旋转并向多个基板供给多种气体(参照专利文献)。另外，已知一种立式装置，在积载有多个基板的状态下，使用在基板的积载方向上延伸的...

.本发明涉及基板处理装置、半导体装置的制造方法以及基板处理方法。.作为半导体装置(设备)的制造工序的一工序，有时进行在收纳于基板处理装置的处理室内的基板上形成膜的成膜处理(例如参照专利文献)。.现有技术文献.专利文献：日本特开-号公报.在作为半导体设备的制造工序的一工序例如使用处理气体进行...

.本发明涉及一种用于垂直地压铸用于异步电机的转子的装置以及方法。.异步电机的转子(转动部分)可以设计为所谓的鼠笼式转子或者笼式转子。在这种鼠笼式转子或者笼式转子中，转子体沿着轴向被实心的、能够良好地导电的棒穿过，所述棒在转子体的两侧借助所谓的短路环连接。转子体可以由转子叠片组(堆叠的转子片...

玻璃抛光设备和使用该玻璃抛光设备的玻璃抛光方法.本申请要求于年月日在韩国知识产权局提交的第--号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。.本公开涉及玻璃抛光，更具体地，涉及一种玻璃抛光设备和使用该玻璃抛光设备的玻璃抛光方法。.诸如液晶显示(lcd)装置和有机...

.本公开涉及一种沉积装置、沉积装置的清洁方法以及使用沉积装置形成薄膜的方法，且更具体地讲，涉及一种提高沉积装置的清洁效率和薄膜形成效率的沉积装置、沉积装置的清洁方法以及使用沉积装置形成薄膜的方法。.通常，在衬底上沉积具有预定厚度的薄膜的方法包括利用诸如溅射(sputtering)的物理碰撞...

金属部件的表面处理.相关申请的交叉引用.本申请要求以下专利申请的优先权权益：)于年月日提交的标题为“surfacetreatmentformetalliccomponents”的美国专利申请no./,，)于年月日提交的标题为“surfacenanograinforimprovedd...

.本发明涉及加工装置。.在具有作为贯通电极的tsv(throughsiliconvia，硅通孔)的tsv晶片中，通过磨削和cmp(化学机械研磨)将背面平坦化，通过cmp将在正面侧露出的贯通电极平坦化。近年来，贯通电极的布线由铝布线替换成铜布线，因此通过基于刀具的旋切和cmp将贯通电极平...

.本发明涉及靶材溅射领域，尤其是涉及一种高纯钨溅射靶材的制备方法。.钨是一种难熔（℃）且硬度高的金属，具有优异的导电性能和比较稳定的化学性能。在集成电路(主要是存储芯片和射频芯片)制备等行业中具有广泛的应用前景。目前钨溅射靶材坯料主要采用粉末冶金技术，通过将钨粉末装在专用模具中，然后热等静...

.本实用新型涉及抛光设备领域，特别涉及一种全周轮廓一体抛光机。.随着电子产品行业的飞速发展，电子产品的竞争越来越激烈。其中，移动电子产品的外观是其核心竞争点之一，因此，移动电子产品在生产时，通常需要对外壳进行抛光打磨，以保证其外观光滑精美。现有电子产品的外壳抛光设备中，通常都是采用具有多个...